Tranzistory

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 12 A, Pd = 75 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 12 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 75 W, h21E = 18..300, fT = 3 MHz, Pouzdro = TO220

RoHS, V-MOS P en 100V 19A 150W TO220

Tranzistor FET-N 55V 41A 83W TO220 RoHS

RoHS, N-DARL 100V/8A 65W TO220

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 6 A, Pd = 65 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 6 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 65 W, h21E = 10..300, fT = 3 MHz, Pouzdro = TO220

RoHS, Tranzistor PNP -0.1A/-45V TO92,=BC212, BC257, BC307, 2SB725, 2SA1137+

TO92a,=BC214, BC416, 2SA1136..1137

RoHS, NPN 80V 1A 0.8W B: 40-250 TO92,=BC214, BC416, 2SA1136..1137, KC639

TO92,=2SD667, 2N3700..3701, 2SC2383

NPN 100V 2A 25W TO126,=BD379, BD443, 2SD1177..1178

Tranzistor NPN 6A/100V TO220 RoHS

RoHS,Tranzistor NPN 25A/100V TO218

3MHz, SOT93 B C E C 18j

TO3,=2N5629..5631

TO3a,=2N6029..6031

Tr-S N 80V/4A/36W TO126h

P-80V 4A 36W TO126

RoHS, =BD680 , TO125

technický popis Alternativní typ za SSS10N60B. Výrobce FUJI Electric Typ N-FET Provedení TO220 isol. Napětí (Vce, Vds) 600 V Proud 9,00 A Výkon P_max 50,0 W Odpor R_ds 1,200 Ohm Rychlost neuvedeno Kmitočet neuveden

Uds: 100 V, Idss: 40 A, Pd: 200 W, Rds: 0,06 Ohm Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 40 A, Vds = 100 V, Pd = 200 W, Rds = 0,06 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 40 A Uds = 100 V, Ugs = 20 V, Pd = 200 W, Rds = 0,06 Oh