Tranzistory

MOS-N-FET 100V/ 80A/ 300W, rds=0,015Ohm. TO220 G D S D 17p

MOS-N-FET SMPS 500V/ 13A/ 48W/ rds=0,48Ohm (= MDF13N50), TO220 G D S isol.

MOS-N (P)-FET dual 30 (-30V) 7,2A (-5,3A)/ Rds=0,024Ohm (0,038Ohm) SO8 = 4620. Dvojice elektricky oddělených tranzistorů v jednom pouzdře. Typ často používaný v invertorech CCFL podsvícení LCD zobrazovačů. Nahrazuje SI4562DY nebo nedostupný AO4606.

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: SMD, Idss = 42 A, Vds = 55 V, Pd = 110 W, Rds = 0,027 Ohm, pouzdro DPAK Parametry: Idss = 42 A Uds = 55 V, Ugs = 16 V, Pd = 110 W, Rds = 0,027 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = DPAK

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 9 A, Vds = 800 V, Pd = 40 W, Rds = 0,9 Ohm, pouzdro TO220FP Parametry: Idss = 9 A Uds = 800 V, Ugs = 30 V, Pd = 40 W, Rds = 0,9 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220FP

80MHz TO92 B C E 7c

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 2,5 A, Vds = 500 V, Pd = 80 W, Rds = 3 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 2,5 A Uds = 500 V, Ugs = 20 V, Pd = 80 W, Rds = 3 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 6 A, Pd = 65 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 6 A Uce0 = 100 V, Ucb0 = 100 V, Pd = 65 W, h21E = 10..300, fT = 3 MHz, Pouzdro = TO220

technický popis Alternativní typ za SSS10N60B. Výrobce FUJI Electric Typ N-FET Provedení TO220 isol. Napětí (Vce, Vds) 600 V Proud 9,00 A Výkon P_max 50,0 W Odpor R_ds 1,200 Ohm Rychlost neuvedeno Kmitočet neuveden

Uds: 100 V, Idss: 40 A, Pd: 200 W, Rds: 0,06 Ohm Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 40 A, Vds = 100 V, Pd = 200 W, Rds = 0,06 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 40 A Uds = 100 V, Ugs = 20 V, Pd = 200 W, Rds = 0,06 Oh

Parametry Kód produktu: 212-077 Váha: 0.0002 Šířka 0.005 Výška 0.02 Hloubka 0.004 Polarita tranzistoru NPN Montáž THT Ic 300 mA U(CE0) 400 V U(CB0) 500 V Ztrátový výkon 0,625 W h(21E) 40 - 200 Pouzdro TO92

Unipolární tranzistor, N kanál, THT, 200V, 50A, 300W, TO247AC Výrobce INFINEON Polarita tranzistoru N kanál Montáž THT Technologie N-HEXFET Ochr. Dioda ano Idss 50 A Napětí Drain-Source [Uds] 200 V Napětí Gate-Source [Ugs] 20 V Rds 40