Unipolární tranzistory N kanál

Tranzistor FET-N 55V 41A 83W TO220 RoHS

Tranzistor FET N 53A/55V TO220 RoHS

TO18,=3SK21

SOT37,=BF905

SOT37,=BF910

RoHS, IOS218,N-MOSFET 55V, Ic=110A, Idm=390A, t=14/43ns, 200W, 0.008R

TO92c,=BSN254, výběhový typ

Uds: 60 V, Idss: 16 A, Pd: 45 W, Rds: 0,1 Ohm Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 16 A, Vds = 60 V, Pd = 45 W, Rds = 0,1 Ohm, pouzdro TO-220 Parametry: Idss = 16 A Uds = 60 V, Ugs = 20 V, Pd = 45 W, Rds = 0,1 Ohm, Dioda

Tr-S Fn 900V/9A/150W

MOS-N-FET-e V-MOS/SMPS 600V/ 8,0A/ 150W TO220 G D S D 17p

GBT-N SMPS modul 1200V/20A (40A/25°C) s diodou (= H20R1203, H20R1202), TO247 G C E C Označení výrobce: H20N120R3. Speciální typ pro indukční desky a vařiče. Výrobce Infineon Technologies Typ IGBT-N Provedení TO247 Napětí (Vce, Vds) 1200 V Prou

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 20 A, Vds = 500 V, Pd = 250 W, Rds = 0,27 Ohm, pouzdro TO247 Parametry: Idss = 20 A Uds = 500 V, Ugs = 20 V, Pd = 250 W, Rds = 0,27 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO247

RoHS, MOS-N 200V 17A 125W 0,18R TO220AB LogL

nipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 7,2 A, Vds = 500 V, Pd = 110 W, Rds = 0,85 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 7,2 A Uds = 500 V, Ugs = 30 V, Pd = 110 W, Rds = 0,85 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220

Uds: 55 V, Idss: 169 A, Pd: 330 W, Rds: 0,0053 Ohm Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 169 A, Vds = 55 V, Pd = 330 W, Rds = 0,0053 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 169 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 330 W, Rds = 0,0

splňuje RoHS , tranz.IRF3205 N-Ch 55V 110A 200W 0,008R TO220A

N-LogL 30V 140A 200W 0,006R TO220

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 19 A, Vds = 55 V, Pd = 68 W, Rds = 0,1 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 19 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 68 W, Rds = 0,1 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

N-MOS 30V 12A (96A puls) 2,5W 11mOhm SO8

MOS-N-FET-LogL 30V/ 116A/ 170W/ 0,007Ohm. D2Pak G D S 41p