Unipolární tranzistory N kanál

N-Ch 1000V 4,3A 150W 3,5R TO247A

MOS-P-FET 55V/ 11A/ 38W/ 0,175Ohm. TO251(IPak) G D S D 30p, plnohodnotná náhrada FQU11P06 nebo STD10PF06.

IGBT-N modul 1200V/25A (50A/25°C) s diodou / 312W, TO-3P (SOT93) G C E C Speciální typ pro indukční vařiče

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 74 A, Vds = 55 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 74 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

MOS-N-FET-SMPS 800V/ 1,90A/ 55W, rds=4,60Ohm. (= D2NB8), TO252 (DPak) G D S D 14p

MOS-N(P)-FET dual, 40V (-40V) 10A (-10A)/ rds=0,039Ohm (0,051Ohm) TO252-4L (DPak)

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 12 A, Vds = 200 V, Pd = 150 W, Rds = 0,5 Ohm, pouzdro TO247 Parametry: Idss = 12 A Uds = 200 V, Ugs = 20 V, Pd = 150 W, Rds = 0,5 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO247

MOS-N-FET SMPS 700V/ 7,5A/ 35W, rds=1,20Ohm. TO220 G D S isol. Alternativní typ za nedostupný STK0765BF. Více informací - viz odpovídající datové listy.

MOS-N-FET 55V/ 80A/ 170W/ rds=0,012Ohm. TO247 G D S D 16p

MOS-P-FET-e V-MOS 500V /2A /75W /Rds=6,00Ohm. TO220 G D S 17p = MTP2P50EG. Garantovaný výrobce a prověřená kvalita. Výrobce ONSemiconductor Typ P-FET Provedení TO220 Napětí (Vce, Vds) 500 V Proud 2,00 A Výkon P_max 75,0 W Odpor R_ds 6,000

MOS-N-FET 100V/ 80A/ 300W, rds=0,015Ohm. TO220 G D S D 17p

MOS-N-FET SMPS 500V/ 13A/ 48W/ rds=0,48Ohm (= MDF13N50), TO220 G D S isol.

MOS-N (P)-FET dual 30 (-30V) 7,2A (-5,3A)/ Rds=0,024Ohm (0,038Ohm) SO8 = 4620. Dvojice elektricky oddělených tranzistorů v jednom pouzdře. Typ často používaný v invertorech CCFL podsvícení LCD zobrazovačů. Nahrazuje SI4562DY nebo nedostupný AO4606.

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: SMD, Idss = 42 A, Vds = 55 V, Pd = 110 W, Rds = 0,027 Ohm, pouzdro DPAK Parametry: Idss = 42 A Uds = 55 V, Ugs = 16 V, Pd = 110 W, Rds = 0,027 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = DPAK

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 9 A, Vds = 800 V, Pd = 40 W, Rds = 0,9 Ohm, pouzdro TO220FP Parametry: Idss = 9 A Uds = 800 V, Ugs = 30 V, Pd = 40 W, Rds = 0,9 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220FP

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 2,5 A, Vds = 500 V, Pd = 80 W, Rds = 3 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 2,5 A Uds = 500 V, Ugs = 20 V, Pd = 80 W, Rds = 3 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220

technický popis Alternativní typ za SSS10N60B. Výrobce FUJI Electric Typ N-FET Provedení TO220 isol. Napětí (Vce, Vds) 600 V Proud 9,00 A Výkon P_max 50,0 W Odpor R_ds 1,200 Ohm Rychlost neuvedeno Kmitočet neuveden

Uds: 100 V, Idss: 40 A, Pd: 200 W, Rds: 0,06 Ohm Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 40 A, Vds = 100 V, Pd = 200 W, Rds = 0,06 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 40 A Uds = 100 V, Ugs = 20 V, Pd = 200 W, Rds = 0,06 Oh

Unipolární tranzistor, N kanál, THT, 200V, 50A, 300W, TO247AC Výrobce INFINEON Polarita tranzistoru N kanál Montáž THT Technologie N-HEXFET Ochr. Dioda ano Idss 50 A Napětí Drain-Source [Uds] 200 V Napětí Gate-Source [Ugs] 20 V Rds 40

MOS-N-FET-e V-MOS/SMPS 600V/ 3,5A/ 35W/ 1,70Ohm. TO220 G D S iso