Diskrétní polovodičové součástky

TO92e,=BF491..493, 2SA1221..22, 2SA1319

Uds: 100 V, Idss: 40 A, Pd: 200 W, Rds: 0,06 Ohm Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 40 A, Vds = 100 V, Pd = 200 W, Rds = 0,06 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 40 A Uds = 100 V, Ugs = 20 V, Pd = 200 W, Rds = 0,06 Oh

Dioda 60V/3A, DO201AD Urrm = 60V If = 3A Ufm = 0,7V Pouzdro = DO201AD

Dioda 200V/3A, SMC Urrm = 200V If = 3A Uf = 0,95V trr = 35ns Pouzdro = SMC

ransil Bipolární, 15V/1500W, DO201 Ubr = 15V Pmax = 1500W Pouzdro = DO201

Zenerova dioda 3,6V/0,5W, DO35 Uzn = 3,6V Izmax = 139mA Pmax = 0,5W Pouzdro = DO35

Zenerova dioda 5,1V/5W, DO-15 Uzn = 5,1V Izmax = 980mA Pmax = 5W Pouzdro = DO-15

Dioda 40V/5A, DO201AD Urrm = 40V If = 5A Ufm = 0,55V Pouzdro = DO201AD

Transil Unipolární, 56V/1500W, DO201 Ubr = 56V Pmax = 1500W Pouzdro = DO201

Parametry Kód produktu: 212-077 Váha: 0.0002 Šířka 0.005 Výška 0.02 Hloubka 0.004 Polarita tranzistoru NPN Montáž THT Ic 300 mA U(CE0) 400 V U(CB0) 500 V Ztrátový výkon 0,625 W h(21E) 40 - 200 Pouzdro TO92

Unipolární tranzistor, N kanál, THT, 200V, 50A, 300W, TO247AC Výrobce INFINEON Polarita tranzistoru N kanál Montáž THT Technologie N-HEXFET Ochr. Dioda ano Idss 50 A Napětí Drain-Source [Uds] 200 V Napětí Gate-Source [Ugs] 20 V Rds 40

Polovodičové relé 3-fázové v průmyslovém pouzdru, montáž na chladič Výrobce: Carlo Gavazzi Carlo Gavazzi Jmenovitý proud: 55 A Řada: Spínání v nule Počet spínaných pólů: 3 Rozsah řídícího napětí: 4 - 32VDC Jmenovité napětí: 400 VAC Spínací

Výrobce SEMTECH Uzn 18 V Proud Iz max 28 mA Pmax 0,5 W Montáž THT Pouzdro DO35 Značka Semtech

Výrobce SEMTECH Uzn 20 V Proud Iz max 25 mA Pmax 0,5 W Montáž THT Pouzdro DO35 Značka Semtech

Dioda 100V/2A, SMB Urrm = 100V If = 2A Uf = 0,85V Pouzdro = SMB

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 12 A, Vds = 200 V, Pd = 150 W, Rds = 0,5 Ohm, pouzdro TO247 Parametry: Idss = 12 A Uds = 200 V, Ugs = 20 V, Pd = 150 W, Rds = 0,5 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO247

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 8 A, Pd = 50 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 8 A Uce0 = 250 V, Ucb0 = 250 V, Pd = 50 W, h21E = 50, fT = 30 MHz, Pouzdro = TO220

MOS-N-FET SMPS 700V/ 7,5A/ 35W, rds=1,20Ohm. TO220 G D S isol. Alternativní typ za nedostupný STK0765BF. Více informací - viz odpovídající datové listy.

MOS-N-FET 55V/ 80A/ 170W/ rds=0,012Ohm. TO247 G D S D 16p