Tranzistory

MOS-P-FET 55V/ 11A/ 38W/ 0,175Ohm. TO251(IPak) G D S D 30p, plnohodnotná náhrada FQU11P06 nebo STD10PF06.

IGBT-N modul 1200V/25A (50A/25°C) s diodou / 312W, TO-3P (SOT93) G C E C Speciální typ pro indukční vařiče

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 74 A, Vds = 55 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 74 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

Uds: 40 V, Idss: 343 A, Pd: 375 W, Rds: 0,0017 Ohm Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 343 A, Vds = 40 V, Pd = 375 W, Rds = 0,0017 Ohm, pouzdro TO-220AB Parametry: Idss = 343 A Uds = 40 V, Ugs = 20 V, Pd = 375 W, Rds = 0,

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,5 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,5 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 0,625 W, h21E = 100, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO92

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 0,5 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,5 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 0,625 W, h21E = 100, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO92

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 8 A, Pd = 50 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 8 A Uce0 = 150 V, Ucb0 = 150 V, Pd = 50 W, h21E = 20..40, fT = 30 MHz, Pouzdro = TO220

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 8 A, Pd = 50 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 8 A Uce0 = 150 V, Ucb0 = 150 V, Pd = 50 W, h21E = 20..40, fT = 30 MHz, Pouzdro = TO220

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 0,06 A, Vds = 25 V, Pd = 0,35 W, Rds = - Ohm, pouzdro TO92 Parametry: Idss = 0,06 A Uds = 25 V, Ugs = 6,5 V, Pd = 0,35 W, Rds = - Ohm, Dioda = NE, Pouzdro = TO92

IGBT 600V 40A 200W s diodou TO247AC Bez obsahu olova.

NPN NF/S 600V/ 6A/ 30W /ß=1000 Darlington TO220 isol B C E 17c

MOS-N-FET-SMPS 800V/ 1,90A/ 55W, rds=4,60Ohm. (= D2NB8), TO252 (DPak) G D S D 14p

MOS-N(P)-FET dual, 40V (-40V) 10A (-10A)/ rds=0,039Ohm (0,051Ohm) TO252-4L (DPak)

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 12 A, Vds = 200 V, Pd = 150 W, Rds = 0,5 Ohm, pouzdro TO247 Parametry: Idss = 12 A Uds = 200 V, Ugs = 20 V, Pd = 150 W, Rds = 0,5 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO247

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 8 A, Pd = 50 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 8 A Uce0 = 250 V, Ucb0 = 250 V, Pd = 50 W, h21E = 50, fT = 30 MHz, Pouzdro = TO220

MOS-N-FET SMPS 700V/ 7,5A/ 35W, rds=1,20Ohm. TO220 G D S isol. Alternativní typ za nedostupný STK0765BF. Více informací - viz odpovídající datové listy.

MOS-N-FET 55V/ 80A/ 170W/ rds=0,012Ohm. TO247 G D S D 16p

MOS-P-FET-e V-MOS 500V /2A /75W /Rds=6,00Ohm. TO220 G D S 17p = MTP2P50EG. Garantovaný výrobce a prověřená kvalita. Výrobce ONSemiconductor Typ P-FET Provedení TO220 Napětí (Vce, Vds) 500 V Proud 2,00 A Výkon P_max 75,0 W Odpor R_ds 6,000

MOS-N-FET 100V/ 80A/ 300W, rds=0,015Ohm. TO220 G D S D 17p

MOS-N-FET SMPS 500V/ 13A/ 48W/ rds=0,48Ohm (= MDF13N50), TO220 G D S isol.