Diskrétní polovodičové součástky

splňuje RoHS , tranz.IRF3205 N-Ch 55V 110A 200W 0,008R TO220A

Dioda 1000V/1A, DO41 Urrm = 1000V If = 1A Uf = 1,7V trr = 75ns Pouzdro = DO41

N-LogL 30V 140A 200W 0,006R TO220

Velmi rychlá usmernovací dioda 150V 8A 25ns TO220AC

Transil Unipolární, 180V/600W, DO15 Ubr = 180V Pmax = 600W Pouzdro = DO15

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 80 A, Vds = 100 V, Pd = 260 W, Rds = 0,015 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 80 A Uds = 100 V, Ugs = 20 V, Pd = 260 W, Rds = 0,015 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 19 A, Vds = 55 V, Pd = 68 W, Rds = 0,1 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 19 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 68 W, Rds = 0,1 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

NPN 80V / 8A / 15W / 330MHz, ~TO251 B C E C 30j Typ často používaný v invertorech CCFL podsvícení LCD zobrazovačů a náhrada za 2SC5706.

N-MOS 30V 12A (96A puls) 2,5W 11mOhm SO8

Triak 600V/1A. Uz 600V If 1A Ifsm 8A Igt @ 25°C 5mA Provozní teplota -40..125°C Pouzdro TO92

25 TO126

Triak 600V 12A TO220AB, neizolované pouzdro

N-Kanál, Uds: 650V, Idss: 12A, Pd: 37W, Rds: 0,95Ohm Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: SMD, Idss = 12A, Vds = 650V, Pd = 37W, Rds = 0,95Ohm, pouzdro DPAK (TO252) Parametry: Idss = 12 A Uds = 650 V, Ugs = 20 V, Pd = 37 W, Rds = 0,95 Oh

MOS-N-FET-LogL 30V/ 116A/ 170W/ 0,007Ohm. D2Pak G D S 41p

N-Ch 1000V 4,3A 150W 3,5R TO247A

MOS-P-FET 55V/ 11A/ 38W/ 0,175Ohm. TO251(IPak) G D S D 30p, plnohodnotná náhrada FQU11P06 nebo STD10PF06.

IGBT-N modul 1200V/25A (50A/25°C) s diodou / 312W, TO-3P (SOT93) G C E C Speciální typ pro indukční vařiče

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 74 A, Vds = 55 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 74 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB