Diskrétní polovodičové součástky

IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 16,5 A, Uce = 1200 V, Pd = 125 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 16,5 A Ic puls = 27 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 125 W, Ton/off = 27/440 ns, Pouzdro = TO220

technický popis Výrobce International Rectifier Typ N-FET-LogL Provedení TO220 Napětí (Vce, Vds) 55 V Proud 49,0 A Výkon P_max 110,0 W Odpor R_ds 0,022 Ohm Rychlost neuvedeno Kmitočet neuveden

Transil Bipolární, 15V/600W, DO15 Ubr = 15V Pmax = 600W Pouzdro = DO15

Tr-S P 120V/8A/80W SOT93j

Tr-S P 50V/0.2A/0.4W TO92c

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 0,23 A, Vds = 45 V, Pd = 0,7 W, Rds = 14 Ohm, pouzdro TO92 Parametry: Idss = 0,23 A Uds = 45 V, Ugs = 20 V, Pd = 0,7 W, Rds = 14 Ohm, Dioda = NE, Pouzdro = TO92

Tr-S Fn 900V/9A/150W

RoHS, Schottky dioda 60V 5A DO-201AD

NPN 15V,0.2A,0.36W TO18

NPN 25V,0.2A,1W TO18

Zen. dioda DO41 1.3W ZPY 62V

Zenerova dioda 15V/5W, DO-201 Uzn = 15V Izmax = 333mA Pmax = 5W Pouzdro = DO-201

Triak 600V/4A. Uz 600V If 4A Ifsm 25A Igt @ 25°C 10mA Provozní teplota -40..150°C Pouzdro TO220

MOS-N-FET-e V-MOS/SMPS 600V/ 8,0A/ 150W TO220 G D S D 17p

NPN S-P/SMPS 400V/ 1,5A/ 40W (=EB13003) TO126 E C B 14j

řídící sig.5-24DCV, s chladičem, na DIN

řídící sig.5-24DCV, s chladičem, na DIN

GBT-N SMPS modul 1200V/20A (40A/25°C) s diodou (= H20R1203, H20R1202), TO247 G C E C Označení výrobce: H20N120R3. Speciální typ pro indukční desky a vařiče. Výrobce Infineon Technologies Typ IGBT-N Provedení TO247 Napětí (Vce, Vds) 1200 V Prou

Dioda 1000V/3A, DO214AB Urrm = 1000 V If = 3 A Uf = 1,15 V trr = 2500 ns Pouzdro = DO214AB