Tranzistory

RoHS, Tranzistor FET N 8A/500V TO220,=MTP8N50, 2SK555, 2SK894, 2SK1496

Tranzistor FET-N 55V 41A 83W TO220 RoHS

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 20 A, Vds = 500 V, Pd = 250 W, Rds = 0,27 Ohm, pouzdro TO247 Parametry: Idss = 20 A Uds = 500 V, Ugs = 20 V, Pd = 250 W, Rds = 0,27 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO247

Tr-S Fn 600V/6.2A/125WTO220p

N-LogL 30V 140A 200W 0,006R TO220

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 80 A, Vds = 100 V, Pd = 260 W, Rds = 0,015 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 80 A Uds = 100 V, Ugs = 20 V, Pd = 260 W, Rds = 0,015 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 19 A, Vds = 55 V, Pd = 68 W, Rds = 0,1 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 19 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 68 W, Rds = 0,1 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

NPN 80V / 8A / 15W / 330MHz, ~TO251 B C E C 30j Typ často používaný v invertorech CCFL podsvícení LCD zobrazovačů a náhrada za 2SC5706.

N-MOS 30V 12A (96A puls) 2,5W 11mOhm SO8

25 TO126

N-Kanál, Uds: 650V, Idss: 12A, Pd: 37W, Rds: 0,95Ohm Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: SMD, Idss = 12A, Vds = 650V, Pd = 37W, Rds = 0,95Ohm, pouzdro DPAK (TO252) Parametry: Idss = 12 A Uds = 650 V, Ugs = 20 V, Pd = 37 W, Rds = 0,95 Oh

MOS-N-FET-LogL 30V/ 116A/ 170W/ 0,007Ohm. D2Pak G D S 41p

N-Ch 1000V 4,3A 150W 3,5R TO247A

MOS-P-FET 55V/ 11A/ 38W/ 0,175Ohm. TO251(IPak) G D S D 30p, plnohodnotná náhrada FQU11P06 nebo STD10PF06.

IGBT-N modul 1200V/25A (50A/25°C) s diodou / 312W, TO-3P (SOT93) G C E C Speciální typ pro indukční vařiče

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 74 A, Vds = 55 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 74 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

Uds: 40 V, Idss: 343 A, Pd: 375 W, Rds: 0,0017 Ohm Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 343 A, Vds = 40 V, Pd = 375 W, Rds = 0,0017 Ohm, pouzdro TO-220AB Parametry: Idss = 343 A Uds = 40 V, Ugs = 20 V, Pd = 375 W, Rds = 0,

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 0,5 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,5 A Uce0 = 80 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 0,625 W, h21E = 100, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO92

Bipolární PNP tranzistor - Ic = 0,5 A, Pd = 0,625 W, pouzdro TO92 Parametry: Ic = 0,5 A Uce0 = 60 V, Ucb0 = 80 V, Pd = 0,625 W, h21E = 100, fT = 100 MHz, Pouzdro = TO92

Bipolární NPN tranzistor - Ic = 8 A, Pd = 50 W, pouzdro TO220 Parametry: Ic = 8 A Uce0 = 150 V, Ucb0 = 150 V, Pd = 50 W, h21E = 20..40, fT = 30 MHz, Pouzdro = TO220