Unipolární tranzistory N kanál

RoHS, Tranzistor FET N 8A/500V TO220,=MTP8N50, 2SK555, 2SK894, 2SK1496

Tranzistor FET-N 55V 41A 83W TO220 RoHS

N-LogL 30V 140A 200W 0,006R TO220

Tr-S Fn 600V/6.2A/125WTO220p

Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 20 A, Vds = 500 V, Pd = 250 W, Rds = 0,27 Ohm, pouzdro TO247 Parametry: Idss = 20 A Uds = 500 V, Ugs = 20 V, Pd = 250 W, Rds = 0,27 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO247

RoHS, MOS-N 200V 17A 125W 0,18R TO220AB LogL

nipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 7,2 A, Vds = 500 V, Pd = 110 W, Rds = 0,85 Ohm, pouzdro TO220 Parametry: Idss = 7,2 A Uds = 500 V, Ugs = 30 V, Pd = 110 W, Rds = 0,85 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220

Uds: 55 V, Idss: 169 A, Pd: 330 W, Rds: 0,0053 Ohm Unipolární tranzistor N-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 169 A, Vds = 55 V, Pd = 330 W, Rds = 0,0053 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 169 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 330 W, Rds = 0,0

splňuje RoHS , tranz.IRF3205 N-Ch 55V 110A 200W 0,008R TO220A

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 19 A, Vds = 55 V, Pd = 68 W, Rds = 0,1 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 19 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 68 W, Rds = 0,1 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

N-MOS 30V 12A (96A puls) 2,5W 11mOhm SO8

MOS-N-FET-LogL 30V/ 116A/ 170W/ 0,007Ohm. D2Pak G D S 41p

N-Ch 1000V 4,3A 150W 3,5R TO247A

MOS-P-FET 55V/ 11A/ 38W/ 0,175Ohm. TO251(IPak) G D S D 30p, plnohodnotná náhrada FQU11P06 nebo STD10PF06.

IGBT-N modul 1200V/25A (50A/25°C) s diodou / 312W, TO-3P (SOT93) G C E C Speciální typ pro indukční vařiče

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 74 A, Vds = 55 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, pouzdro TO220AB Parametry: Idss = 74 A Uds = 55 V, Ugs = 20 V, Pd = 200 W, Rds = 0,02 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO220AB

MOS-N-FET-SMPS 800V/ 1,90A/ 55W, rds=4,60Ohm. (= D2NB8), TO252 (DPak) G D S D 14p

MOS-N(P)-FET dual, 40V (-40V) 10A (-10A)/ rds=0,039Ohm (0,051Ohm) TO252-4L (DPak)

Unipolární tranzistor P-Kanál, Provedení: Vývodové, Idss = 12 A, Vds = 200 V, Pd = 150 W, Rds = 0,5 Ohm, pouzdro TO247 Parametry: Idss = 12 A Uds = 200 V, Ugs = 20 V, Pd = 150 W, Rds = 0,5 Ohm, Dioda = ANO, Pouzdro = TO247

MOS-N-FET SMPS 700V/ 7,5A/ 35W, rds=1,20Ohm. TO220 G D S isol. Alternativní typ za nedostupný STK0765BF. Více informací - viz odpovídající datové listy.