začínající písmeny M / N / O / P

RoHS, OZ 2x bipol Low Noise DIL8, DIC,DIP8,+/-22V, 10MHz, 9V/micro s, 0..+70°,=BA15532,= KA5532,=NJM5532,=SE5532

RoHS, DIP8,+/-22V, 10MHz, 13V/micro s, 0..+70°,=SA5534N,=SE5534

MDIP16,FM-ZF, lo-power, 0..+70°,=SA614AN

splňuje RoHS , DIC,DIP8,=MC33063(A)P1,U: 0..+70°,=KA34063A,=MC34063(A)P1,=MC 35063(A)U

10MIPS, 77 Instructions, Flash prog. memory 16384 Bytes, 8192x16 Words, RAM 512 Bytes, Max.speed 40MHz, 34 I/O, 8 ADC 10-bit, USART(2)/IIC/SPI, 2 PWM, Brown-out detection & PLVD, Timers 4+WDT, MSSP 9-Bit, 40 pin PDIP

LIN-IC PWM kontrolér, 40kHz DIP8

UART + rozhraní GPIO, SO20 Napájecí napětí = 3-5,5V Pouzdro: SO20 Pracovní teplota:-40°C - 85°

Mikrokontrolér PIC, paměť: 1kB, SRAM: 64B, EEPROM: 128B, SMD 200ns Instruction Execution, 1792 Bytes Flash program memory (1024x14 words), 64 Bytes RAM, 128bytes EEPROM, 6 I/O, 8bit Timer0 & 16bit Timer 1,WDT, ICSP, 8 pin SOIC

Budič LED 7-segm. 35x15mA DIP40

uP 2kB program FLASH, 256B RAM, 256 EEPROM, 7x10bit A/D, 1x10bit PWM, 3x16bit+1x8bit Timers, EUSART, max.40MHz (max.10MIPS), nanoWatt technologie (nízká spotřeba), DIL18

200ns Instruction Execution, 35 Instructions Program memory 7168 Bytes Flash, 4096x14 Words Flash, EEPROM 128 bytes, RAM 224 Bytes, Speed up to 20MHz, 2 comparators 16 I/O, Timers 1+WDT, PWM, ICSP, 18 pin DIP

Integrovaný obvod Mitsumi pro řízení a ochranu Li-Ion baterií ze 3 nebo 4 článků. Obsahuje ochranu proti přebíjení, přílišnému vybití a proudovou ochranu - nevyžaduje snímací rezistor. Vhodný Mos FET = TPC8111, pouzdro TSOP20A (SMD)

Analogové teplotní čidlo -40..125°C, 5 Pinů, SC-70

1us instructions, Program memory 256byte Flash, SRAM 16byte, 1×8bit Timer, 1×analog comparator, 3 I/O + 1 I , 4MHz internal osc. DIL 8

200ns instruction cycle, 7168byte program FLASH (4096words), 368byte RAM, 256byte EEPROM, 2x8bit Timers, 1x16bit Timer, 1x10bit A/D, 1xCCP (PWM), 1xUSART, 1xSSP, Internal oscilator with 8 frequencies 16I/O, DIL18